Samsung970 EVO PLUS 250 Gt M.2 -SSD-kovalevyMZ-V7S250BW

  • PCIe -väyläinen M.2 kokostandardin huippuluokan tallennuslevy 250 Gt kapasiteetillä
  • Järisyttävän nopea – sopii niin 4K-videoeditointiin, 3D-mallinnukseen kuin pelaamiseen
  • Jopa 3500 MT/s lukunopeus ja 2300 MT/s kirjoitusnopeus

VäriMusta

Selvitetään verkkosaatavuutta...

Selvitetään myymäläsaatavuutta...

    SAMSUNG 970 EVO PLUS 250 GT M.2 -SSD-KOVALEVY

    Samsung 970 EVO Plus on IT-ammattilaisille, PC-harrastajille ja pelaajille suunnattu tehokas tallennusratkaisu. Se sopii niin kannettaviin tietokoneisiin kuin pöytäkoneisiin. 970 EVO Plus -ssd-levyt sisältävät Samsungin viidennen sukupolven V-NAND-piirit, jotka tarjoavat luokkansa parasta suorituskykyä esimerkiksi 4K-videoeditointiin, 3D-mallinnukseen ja pelaamiseen. 970 EVO Plus yhdistää edistyneimmät V-NAND-piirit uuteen optimoituun laiteohjelmistoon, mikä mahdollistaa parhaimmillaan 57 prosentin suorituskykyparannuksen. Uusi tekniikka tarjoaa myös entistä parempaa energiatehokkuutta edeltäjäänsä 970 EVO -asemaan verrattuna. Se pystyy 3500 MB/s perättäisiin lukunopeuksiin ja peräti 3300 MB/s perättäisiin kirjoitusnopeuksiin. Satunnaiset lukunopeudet yltävät 620,000 IOPS-lukemiin ja satunnaiset kirjoituslukemat 560,000 IOPSiin. Kompaktin M.2-kokoluokkansa ansiosta 970 EVO Plus on erinomainen päivitysratkaisu moderneihin PC-laitteisiin, joissa on PCIe Gen3 x4 -liitäntä.

    Miksi tilaisit Telialta?

    • kuvituskuva Ei korkoja tai kulujaEi korkoja, ei kuluja, maksuaikaa jopa 36 kuukautta
    • kuvituskuva ToimitusNopea ilmastoystävällinen toimitus jopa huomiseksi
    • kuvituskuva Takuu3 vuoden takuu puhelimiin ja tabletteihin liittymäasiakkaillemme

    Tekniset tiedot

    Yleistä

    Laitteen tyyppi

    Puolijohdeasema - sisäinen

    Muistin koko

    250 GB

    Laitteistosalaus

    Kyllä

    Salausalgoritmi

    AES 256 bittiä

    NAND flash-muistityyppi

    Triple-level cell (TLC)

    Koko tai muoto

    M.2 2280

    Liitäntä

    PCI Express 3.0 x4 (NVMe)

    Puskurin koko

    512 Mt

    Ominaisuudet

    TRIM-tuki, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.

    Leveys

    22.15 mm

    Syvyys

    80.15 mm

    Korkeus

    2.38 mm

    Paino

    8 g

    Suorituskyky

    Puolijohdeaseman kestokyky

    150 TB

    Sisäinen tiedonsiirtonopeus

    3500 MBps (luku) / 2300 MBps (kirjoitus)

    4KB Random Read

    17000 IOPS

    4KB Random Write

    60000 IOPS

    Maximum 4KB Random Write

    550000 IOPS

    4KB enimmäissatunnaistoisto

    250000 IOPS

    Luotettavuus

    Keskimääräinen vikaväli (MTBF)

    1,500,000 tuntia

    Laajennus & Liitäntä

    Liitännät

    PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card

    Yhteensopiva paikka

    M.2 2280

    Virransyöttö

    Virrankulutus

    5 watt (keskimäärä)

    8 watt (maksimi)

    30 mW (tyhjäkäynti enint.)

    Muuta

    Yhteensopivuusstandardit

    IEEE 1667

    Valmistajan takuu

    Takuu

    60 kk

    Asiakastuki

    Samsung asiakastuki: puh: 0306 227 515 tai http://www.samsung.com/fi/support/

    Ympäristötiedot

    Vähimmäiskäyttölämpötila

    0 °C

    Enimmäiskäyttölämpötila

    70 °C

    Iskunkestävyys (käytettäessä)

    1500 g @ 0,5 ms puolisini